上周在北京【jīng】PVCEC上,与很多【duō】企业做了较【jiào】深入的交流【liú】,对于【yú】光【guāng】伏产业很【hěn】多历【lì】史性的大趋势【shì】有了更多更清晰的判断,下两【liǎng】点判断尤其坚定:

1、单晶+Perc的技术潮流势不可当。

2、在单晶崛起的历史背【bèi】景下,半片【piàn】这样的【de】高效封【fēng】装【zhuāng】技术也将必然崛起。

一、单晶perc将成为市场主流

1单晶炉的技术和长晶工艺快速进步

一台【tái】单晶【jīng】炉每月的产量【liàng】由五【wǔ】年前500kg/月提【tí】升到【dào】现在的2.7吨/月【yuè】;据一【yī】家单晶龙头企业介绍,他们有信【xìn】心在2018年时候,在不改变单晶炉本身,仅仅通过工艺提升进一步把【bǎ】单台单【dān】晶炉的月【yuè】产能提升到3.1吨/月,对应到硅片月产【chǎn】量【liàng】会来【lái】到8MW。

同【tóng】时,新增单晶产能都【dōu】布【bù】局于电价低廉的地区,更进一步大幅【fú】降低长晶【jīng】成本。折算下来1kg单晶硅棒的长晶【jīng】成本由【yóu】几年前的100多元/kg下降到目前的42元/kg(隆基股份【fèn】水平),明年【nián】可【kě】进【jìn】一步优化【huà】到【dào】35元/kg。可见,单晶炉近些【xiē】年发【fā】生了【le】质的飞跃。反观近几年多晶铸锭技术进【jìn】步缓慢,近几【jǐ】年没有实【shí】质性的提【tí】升【shēng】。

2金刚线切割技术本质上更有利于单晶

单【dān】晶硅棒【bàng】由于内部晶【jīng】格【gé】序列一致,切割起来可以速【sù】度更快,耗材使用量更少【shǎo】,而且切出来的单晶【jīng】硅片在厚端电池制【zhì】绒【róng】环节更加容易,电池片效率不受【shòu】影响,而多晶硅【guī】片则需要叠加黑【hēi】硅技术或【huò】加入添加【jiā】剂(添加剂成本低,但电池效率略下滑),每片硅片的【de】湿【shī】法【fǎ】黑硅过【guò】程【chéng】需要【yào】额【é】外增【zēng】加0.2~0.3元的成本,干法黑硅则【zé】需要增加0.4元【yuán】的成【chéng】本。因此,金刚【gāng】线切割带【dài】来【lái】的出【chū】片量的提升,也更能有效的【de】摊【tān】低单晶长晶环节的高成本。

表:单多晶金刚线切割的对比

多【duō】晶应用金【jīn】刚线【xiàn】切割是今年才大【dà】规模应用【yòng】推广的,保利协【xié】鑫【xīn】有更大的优化空间,但【dàn】是由于基础原理的【de】不同【tóng】,在金刚线切割环节,多晶硅【guī】片的【de】切片成本无论怎么优化,成本都必然【rán】要【yào】比单晶硅片【piàn】高出一大【dà】截。

3perc技术更有利于单晶硅片

perc叠【dié】加于单晶硅【guī】片能明【míng】显带来更好的效果。perc+单晶硅片【piàn】可以带来1.2%的效【xiào】率提升;而【ér】perc+多晶硅片目前【qián】只【zhī】能带【dài】来【lái】0.8%的效率提升。晶澳太【tài】阳能的“多晶+干法黑硅+perc”的60片电池组件最高功【gōng】率能做【zuò】到290W;而“单【dān】晶+perc”组【zǔ】件功率可以做到305W。

  图:北京pvcec晶澳太阳能的展台

多晶即便【biàn】是叠【dié】加了最优秀的干法黑硅技术(干法黑硅【guī】每张硅片需额【é】外增加成本0.4元,金【jīn】刚线【xiàn】切割带来【lái】的成本下降优势被吞噬大半),功率也【yě】才【cái】仅为290W,而单晶直接叠加perc技术就【jiù】可【kě】以把【bǎ】功【gōng】率【lǜ】做到305W,后端电池制绒【róng】成【chéng】本更低【dī】且单多晶组件【jiàn】的功率差已经【jīng】越来越大。

事实上【shàng】,不仅perc技术在【zài】单晶【jīng】上能带来【lái】更好的效果,其【qí】他技术【shù】创新在【zài】单晶硅片上【shàng】应用的效果也更好【hǎo】。这就好【hǎo】比【bǐ】一个孩子,单晶在出生的时【shí】候身体【tǐ】底子好,所以后【hòu】面叠加各项新技术【shù】就更容易且效果更【gèng】好。而多【duō】晶硅片在出生阶段为了【le】省钱就比较粗放,身体底子差,所以后端叠加的各项新技术应用起来效果【guǒ】就【jiù】差。这种差距是【shì】从这【zhè】张硅片诞生之初就留【liú】下的。后天再怎么弥补(黑硅技【jì】术本质上就是一种【zhǒng】弥补策略),效果【guǒ】都不佳。如果到【dào】了这个【gè】时候,还对【duì】单多晶这种【zhǒng】未【wèi】来竞争格局【jú】看不清【qīng】而【ér】拼命投资铸锭产能和黑硅技【jì】术,还希望抱【bào】残守缺挽【wǎn】救自己的多【duō】晶炉,那只能是【shì】自讨苦吃。

然而,单【dān】晶硅片明【míng】年日子并不会比今年好【hǎo】过【guò】。2017年应该是单晶硅片的毛利率峰【fēng】值【zhí】!

明【míng】年硅片产能必然会大于市场需求,一大【dà】批多晶硅片【piàn】产能面临出清,多【duō】晶硅片的价格必然会滑落到某些【xiē】边际成本高的【de】厂家的【de】现【xiàn】金【jīn】成本。简而言之:明年多【duō】晶硅片会以现【xiàn】金成本迎战单晶硅片【piàn】,虽然单晶硅片【piàn】依然会保持一定【dìng】的【de】毛利润,但是【shì】我敢断【duàn】言:今年【nián】就是单晶硅片【piàn】的【de】毛【máo】利率峰值!

4单多晶组件性价比的比较

单晶组件【jiàn】由于功率更高,在电站建设安装的过程【chéng】中可以【yǐ】节省BOS成本。很多我走访过的【de】电站,他们给【gěi】出的【de】结论【lùn】也【yě】直观朴素【sù】:

就目前10W~15W的【de】功【gōng】率差,单晶每瓦贵0.1~0.15元是合理【lǐ】的,

如果【guǒ】单【dān】晶组件比多晶组【zǔ】件贵的幅度超过0.15元,那就选择多晶组件【jiàn】;

但是如果单晶组件只比多晶【jīng】组【zǔ】件贵<0.1元【yuán】,由于单晶后端【duān】BOS成本可【kě】以带来【lái】更多节省【shěng】,所以必然要选择【zé】单晶。

一块60片标准光伏电池【chí】组件,在电站建设过程中的运【yùn】输、安装、土地、支【zhī】架、线缆成【chéng】本是一致的。除了以上这些直接成本,电【diàn】站建【jiàn】设还【hái】会【huì】有【yǒu】选【xuǎn】址、设计、报备、入网、管【guǎn】理、运【yùn】维等间接成本需要分【fèn】摊【tān】;对【duì】于正在崛【jué】起【qǐ】的【de】分布【bù】式电站,还需要额【é】外的销售【shòu】成本【běn】、渠道成【chéng】本需【xū】要分摊在电站建设成本中。以【yǐ】上这些成本可以统称为BOS成本。

近【jìn】些年随着组件自身【shēn】价格【gé】不断下滑,电【diàn】站建【jiàn】设的【de】BOS成本占【zhàn】比越来越高【gāo】,尤其对于分布式【shì】电站【zhàn】,由于单【dān】个项目装机容量小,所以1W装机容量要分摊更多的【de】间接费用,导【dǎo】致BOS成本占比甚至【zhì】要高达55%。所以要【yào】想测算不同功【gōng】率组件的合【hé】理价【jià】差,首先要【yào】对BOS成本进行估算。

根据我对下游电站的走访情况,我得到如下数据。

表:60片标准组件的BOS成本估算

由于【yú】以上数据是【shì】根据60片标【biāo】准组件来核算的,要【yào】想【xiǎng】最终得知1W的合理价差,还需要知道1片组【zǔ】件的功率。根【gēn】据这一次参【cān】加北京PVECE展【zhǎn】会【huì】得【dé】到的【de】数据【jù】汇总如下: