在硅【guī】片表【biǎo】面沉积一层氮【dàn】化【huà】硅减反射【shè】膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反【fǎn】射，氢原【yuán】子【zǐ】搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
镀膜原理
光照射在【zài】硅片【piàn】表面时【shí】，反射会使光【guāng】损失约【yuē】三分【fèn】之一【yī】。如果【guǒ】在【zài】硅表面有一【yī】层【céng】或多【duō】层合适的【de】薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电【diàn】池的减反射膜(ARC，antireflection coating)。
管式PECVD的原理就【jiù】是通过脉冲射频激发受热的【de】稀薄气体进行【háng】辉光【guāng】放【fàng】电形【xíng】成等离子体，通过两片【piàn】相【xiàng】对应的石【shí】墨片加相反【fǎn】的【de】交【jiāo】变电压使等【děng】离子在极板【bǎn】间加速撞击气体，运动到硅片表【biǎo】面完成镀膜【mó】过程。
三、镀膜的相关介绍
1、机台照片与工作原理图
2、等离子体
所谓等离子体，是【shì】指气体【tǐ】在一定条【tiáo】件下受到高【gāo】能激【jī】发，发【fā】生电离【lí】，部分外【wài】层电子脱离原【yuán】子核【hé】，形成电子、正离子【zǐ】和中性粒【lì】子混合组成的一种形态，这种形态【tài】就称【chēng】为等离子态。
等离子体在化学气相沉积中有如下作用：
(1).将反【fǎn】应物【wù】中的气体分子激活成活性离子，降低【dī】反应【yīng】所需【xū】的温度;
(2).加【jiā】速反应物在【zài】基【jī】片表面的扩散作用(表面迁移【yí】作用)，提高【gāo】成膜【mó】速度;
(3).对于基体表【biǎo】面及【jí】膜层表面具有溅射清洗【xǐ】作用，溅【jiàn】射掉【diào】那些结合不【bú】牢的粒子，从而加强了形成的【de】薄膜和【hé】基【jī】片的【de】附着力;
(4).由于反应【yīng】物【wù】中的原子、分子【zǐ】、离子和【hé】电子之间的碰撞【zhuàng】、散射作用【yòng】，使形【xíng】成的薄膜厚度【dù】均匀
3、镀膜的方式分类
间接【jiē】等离子：等离子【zǐ】没有直接和【hé】硅片接触【chù】，基片不【bú】接触激【jī】发电极( Roth&Rau)
直接等离子：等【děng】离子直接接触硅【guī】片【piàn】，基片【piàn】位【wèi】于一个电极上，直接【jiē】接触等离子体( Centrotherm 、岛【dǎo】津)
四、影响镀膜效果的主要参数
影响镀膜效果主要的机器本身工艺参数有：
(1).镀膜工艺时候真空压力
(2).镀膜工艺温度
(3).镀膜工艺
气体流量比
(4).镀膜工艺
总气体流量
(5).射频功率以及脉冲开关时间
(6).等离子体的沉积方向
由【yóu】于管式PECVD 是直接镀膜过程，镀膜效果会受到很【hěn】多外【wài】界【jiè】因素的【de】干【gàn】扰，
并且这些干扰对膜的质量产生很严重的影响;
(1).石墨舟本身的使用状况
(2).硅片表面形貌的差异
管式PECVD 镀膜的各工艺参数具体控制范围
1.镀膜工艺时候真空压力
真空压力对【duì】镀膜速率【lǜ】而言很重要，是成膜较为关键【jiàn】的因【yīn】素，目前在尚德镀【dù】膜【mó】
工艺保持稳定的情况下，管式PECVD 的真空压力为;
156 多晶：1700 mTorr ，大约相当【dāng】于【yú】226.65 Pa。
125 单晶：1700 mTorr ，大约相当于226.65 Pa。
2.镀膜工艺温度
管式PECVD 工艺时温度为430℃--450℃
5.射频功率以及脉冲开关时间
射【shè】频功【gōng】率也是【shì】影【yǐng】响镀膜成膜的较重要的因素，也是优化【huà】工艺时必须考【kǎo】虑的【de】因素，目前【qián】射频功率新工艺射频功率为;
6.等离子体的沉积方向
插片时硅片载体被【bèi】工【gōng】艺【yì】点固定，在硅片【piàn】和石墨舟【zhōu】片接触很紧密【mì】的【de】情况下(即硅片【piàn】本身【shēn】不【bú】弯【wān】曲，插片不翘起)，等离子基本上是垂【chuí】直撞击到硅片表面。
PECVD 膜的作用、简述膜的特性
1、氮化硅膜的减反原理
光照射【shè】在【zài】硅片表面时，反射【shè】会使光损失约三分【fèn】之一【yī】。如果在硅表面有【yǒu】一层或
多【duō】层【céng】合适的薄【báo】膜，利【lì】用薄膜干涉原理，可以使【shǐ】光的反射大为减少，这种【zhǒng】膜称为太【tài】
阳【yáng】电池的减反射膜【mó】(ARC，antireflection coating)。
照射到硅片【piàn】上的光因为【wéi】反射不能全【quán】部被硅【guī】吸收。反射百分率的大小取【qǔ】决【jué】于硅
和外界透明介质的折射率。垂直入射时，硅片表面的反射率R 为:
在真空或【huò】大气中，如果硅表面没有【yǒu】减反【fǎn】射【shè】膜，长波范【fàn】围(1.1μ m)入【rù】射光损失
总量的34%，短【duǎn】波范围(0.4 μ m)为54%。即使【shǐ】在【zài】硅表【biǎo】面制作了绒面，由于入射光产生多次反射而增加【jiā】了【le】吸收，但【dàn】也有约14%以上的【de】反射损失。
如果在硅的表【biǎo】面【miàn】制【zhì】备【bèi】一层透明的介质膜，由于介【jiè】质膜的两个界面上的反【fǎn】射光
相互干涉【shè】，可以在很宽的波【bō】长范围内降低【dī】反射率。此时反【fǎn】射率由下式【shì】给出：
式中, r1、r2 分别是外界介质一【yī】膜和【hé】膜一【yī】硅界面上的菲涅尔【ěr】反射系数;△为【wéi】
膜层厚度引起的相位角。它们可分别表示为:
其中【zhōng】，n0, n 和ns:分别【bié】为【wéi】外界介质、膜层【céng】和硅的折射率【lǜ】，λ 0 是入射光的
波长，d 是膜层的厚度。
当波 长 为λ 0 的光垂【chuí】直入射时，如【rú】果当nd= λ 0 /4 ，则【zé】由式【shì】
为了使反射损失减到最小，即【jí】希【xī】望【wàng】Rλ 0 =0, 应有：
硅的折射率nsi=3.9，n0=1 :
从【cóng】裸【luǒ】露的硅表面和从覆盖有【yǒu】折射率为1.9 和2.3 的减反射膜的硅表面反【fǎn】射【shè】
的正常入射光的百分比与波长的关系：
2、氮化硅膜的钝化效果
PECVD 沉积SixNy 薄膜有一定【dìng】程度的【de】表面【miàn】损【sǔn】伤，同【tóng】时薄膜中有较高【gāo】含量的氢，
容易和空【kōng】位形【xíng】成氢【qīng】一【yī】空位对{V. H}+。空位还能增强氢的扩散【sàn】，使氢与缺陷及【jí】晶
界【jiè】处的悬【xuán】挂键结合，从而减少界面态密度和复合中心。正电荷{V. H}+也【yě】改【gǎi】善了【le】
SixNy/Si 的界面状态。很多文献资料显【xiǎn】示，有效少数【shù】载【zǎi】流子【zǐ】寿【shòu】命和SixNy 膜中【zhōng】
的氢含量由一定【dìng】的关系【xì】。多【duō】数情况下，氢含量【liàng】较高，少子寿命【mìng】也较大。但沉积温【wēn】度改变时有所不同，可能是温度的升高【gāo】更有利于粒子【zǐ】的运动，使【shǐ】SixNy 膜中更【gèng】多的氢溢【yì】出，到达界面或进【jìn】入硅中【zhōng】，消除悬挂键【jiàn】的活性，从而获得更高【gāo】的少子寿【shòu】命【mìng】。
这样，薄膜中的氢含量有可能降低。
合适条件的后退【tuì】火【huǒ】能够进一步增【zēng】强氢和氢【qīng】一空位对【duì】{V. H}+的【de】扩散，从而降
低表面复合速率【lǜ】，获得更【gèng】好【hǎo】的【de】钝化效【xiào】果。但【dàn】是退火温度过高时，SixNy 膜和硅中的氢都会向【xiàng】外扩散溢【yì】出，使氢含量迅【xùn】速减少，少子寿命急【jí】剧【jù】下【xià】降，钝化效果消失。
PECVD 沉积氮化硅膜【mó】后，单【dān】晶硅少子寿命【mìng】的提高主要是因为好【hǎo】的表【biǎo】面钝化。
对于多【duō】晶硅【guī】和其他【tā】低【dī】质量的硅片(如硅带)，因为体内具【jù】有大量的【de】空【kōng】位、缺陷和晶界等，除了表面钝化效【xiào】果。因此【cǐ】，低质量硅【guī】片的【de】氢钝化效果更明显。
3、氮化硅膜的抗干扰效果
氮化规的主【zhǔ】要性质是对 H O 2 、O、Na、Al、Ga、In 等都【dōu】具【jù】有极【jí】强【qiáng】的扩散阻
挡能力，使它成为一种较理想的保护电池的材料。
4、膜的特性
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5、氮化硅颜色与厚度对照表:
管P常见的异常情况
边缘水纹
原因：因2#HF槽吹干效【xiào】果不【bú】佳【jiā】，导致正面边【biān】缘生产洛【luò】合物，再加上碱洗不干净最【zuì】终导致边缘水【shuǐ】纹;
解决：改善2#槽吹干效果，将碱槽浓度加大
2.红片
原因：(1).沉积时间过短;
(2).减薄量过低;
(3).石墨舟使用次数过多
(4).石墨舟预处理效果不佳
解决：(1).根据实际情况调整镀膜时间;
(2).根【gēn】据已镀膜完片子的【de】情况，结合【hé】对应的减薄量，实时调整镀膜【mó】时间【jiān】;
(3).检查操作记【jì】录，确认舟已【yǐ】使用多少【shǎo】次，如果使【shǐ】用次数过多就要求员工【gōng】将石墨舟作刻蚀【shí】处理【lǐ】
(4).对该石墨舟尽早做刻蚀处理
3.淡蓝
原因：(1).沉积时间过长;
(2).减薄量过高;
解决：(1). 根据实际情况调整镀膜时间;
(2).根据【jù】已镀膜完片子【zǐ】的【de】情况，结合对应的减薄量【liàng】，实时调整【zhěng】镀膜时间;
4.镀膜呈彩虹状
原因：弯曲片;
解决：对【duì】于弯曲片，因Centrotherm工【gōng】艺原理所限，没有办法，所以【yǐ】弯曲片【piàn】只能在平板机【jī】器上做;
5.石墨舟掉片子，如下图所示：
原因：员工上料不牢，在机内碎片;
解决：掉了一【yī】片，就导致了上面两【liǎng】片异【yì】常片，对于右边这片肯定是要返工【gōng】的;而左【zuǒ】边【biān】这片，图中所看到的是硅【guī】片的背面【miàn】，而【ér】它的【de】正面是【shì】好的【de】，所以员工常会将这样的片子留【liú】下【xià】面，下面是这种【zhǒng】片子的电性能：
从上【shàng】面的【de】数据中可以看【kàn】出，这样的片子【zǐ】肯定是Jo片，所以这【zhè】种片【piàn】子也【yě】是一定要返工的;
6.异常色差，如下图所示：
原因：制绒槽的风刀堵住所致;
解决：更换风刀;
7.边缘色斑印，
如下图所示，镀膜后该区域依然较明显：
原因：(1).清洗间出来的片子吹不干;
(2).石英舟不干净;
解决：(1).检查到底【dǐ】是什么原因导【dǎo】致，是酸洗【xǐ】不脱水还是风刀【dāo】吹不干【gàn】导致，视实际【jì】情况解【jiě】决;
(2).从上图可以看出，边缘的色斑形状【zhuàng】规则，是【shì】石英舟的【de】支撑杆处出现的，须跟踪【zōng】是【shì】哪【nǎ】个石英舟导【dǎo】致，将该石英舟停用作【zuò】清洗;
8.工艺圆点大
原因：石墨舟的固定点磨损过深导致
解决：让设备人员将石墨舟拆洗，更换石墨片;
平板部分
9.Roth&Rau的可控参数
(1). 压强0.2mbar～0.3mbar
温度350℃～400℃
微波功率2800W～3600W
SiH4(0sccm～2000sccm)和【hé】NH3(0sccm～2000sccm)，SiH4和NH3总气流量控制在2000sccm，而NH3和SiH4的比【bǐ】率控制在【zài】2.9～3.6;
带速150cm/min～170 cm/min
上面【miàn】这些参数是【shì】常规【guī】调整【zhěng】参数，可对单框整体的膜厚和折射【shè】率进行控制【zhì】;
(2).进【jìn】料腔的加热时【shí】间，进料腔和【hé】出料腔冲NH3的【de】时间和流量，进料腔【qiāng】、预热腔和工艺【yì】腔的加热器的输出【chū】功【gōng】率，微波发生【shēng】器【qì】的开关【guān】时间(基【jī】本没修改过);
第二组这些参数主要是调整温度、压强和等离子体浓度的均匀性;
10.膜厚与折射率不匹配
原因：(1).工艺腔压强异常;
(2).总气流和气流比率超出界限;
(3).工艺腔严重漏气(具体参看15) ;
解决：(1).检查【chá】工艺【yì】参数，是否被在线修改，工艺腔的压强【qiáng】基【jī】本都【dōu】是0.25mbar，不【bú】能过低，比如【rú】不【bú】能小于0.2mbar，如果压强过【guò】低的话，膜【mó】的折【shé】射率会很小1.8～1.9,且膜【mó】厚反而会偏【piān】厚;压强为0.1mbar时【shí】，电【diàn】性能如下：
(2).也需检查工艺参数是否被修改，
11.石墨框有一边边缘或一道出现发红现象(沿进框方向)
原因：(1).石英管的使用时间
(2).工艺腔内掉片
(3).石【shí】英管因其它原因导【dǎo】致其表面残留的氮化硅【guī】厚度不【bú】均，从【cóng】而导致微波【bō】受到【dào】削减
(4).特气气孔堵塞
(5).实际微波功率偏低
解决：(1).如果是石英管已用时间过长，督促尽早更换石英管
(2).开腔将碎片去除
(3).更换石英管
(4).这【zhè】种情况较难【nán】发现，所以只能督促设备人员【yuán】在【zài】维护时，清理干净【jìng】，用直径1mm左右的器具【jù】将气孔【kǒng】清理;
(5).如(3).中说的【de】，并【bìng】不一定是微波功率本身【shēn】偏【piān】低，但【dàn】可以调整其解决已有的问题，如果是【shì】左边偏【piān】红【hóng】的话，可以【yǐ】适当提高右边微【wēi】波的【de】功率;
12.机器导致掉片
原因：(1).如果是【shì】机【jī】器内部掉片，内部压强【qiáng】差异【yì】导致【zhì】的可能性更【gèng】大，
(2).机器外部掉片，则原因主要是传输带不平整导致
(3).石墨框的钩子和档针变形也会导致
(4).员工放片不到位也会导致
措施：(1).检查各腔体单周期内的压强变化【huà】趋势，特别是【shì】四【sì】个腔【qiāng】门在开【kāi】关前【qián】后的压【yā】强变化
(2).让设备人员排除传输带问题
(3).跟踪确切是哪个框在特定位置掉片，将其停用;
(4).要求员工进框前，轻敲石墨框检查一下;
13.沿进框方向出现单【dān】框最前面2～3排或最后【hòu】面2～3排整体【tǐ】发红【hóng】，如下图所【suǒ】示;
原因：因预热腔或冷却【què】腔传动速度出【chū】现异常，和工艺腔【qiāng】匹配出现问【wèn】题;
解决：让设【shè】备人员将设备【bèi】软【ruǎn】件【jiàn】重新运行后即可解决;(属于软件问【wèn】题)
14.单框五道之间出现严重色差;
原因：工艺腔与外部连通，出现轻微漏气;
解决【jué】：开腔后【hòu】会发现膜较厚【hòu】的那道对应的工艺腔的【de】腔壁处【chù】也【yě】会有发白物质【zhì】，更换石英管;
也可以在电脑操作界【jiè】面上确认各个腔体的漏【lòu】气【qì】情【qíng】况，先将要确【què】认【rèn】的腔体抽成真空，然后将其【qí】处于待机状【zhuàng】态，察看压【yā】强升高的速度，标准是【shì】<0.0026mbar/min;
15.整框片子的膜颜色偏暗、发紫;
原因：工艺腔与外部连通，出现较严重的漏气;
解决：首先从外观上【shàng】看，就能发现很异常了，测试其膜【mó】厚和折【shé】射率会【huì】发现它【tā】们之间不匹配，比如膜厚85而折射率只有1.8～1.9。出现【xiàn】这【zhè】种情况一般是因石英管的密封圈损坏和【hé】石英【yīng】管爆裂导致【zhì】，具体【tǐ】导致【zhì】上面两个【gè】原【yuán】因的原因有【yǒu】冷却水问题【tí】导致期间烧坏【huài】、石【shí】英【yīng】管使用时间过长、石英【yīng】管【guǎn】质量较差等等;
上面【miàn】这【zhè】张图【tú】片就【jiù】是在石英管的密封圈【quān】烧坏【huài】后【hòu】，腔盖的外观，在第四根和第八根石【shí】英管处明显有【yǒu】发【fā】白的氧化硅类物质;
上面【miàn】的两张图片【piàn】是检验膜好坏较方便的【de】方【fāng】法，即用酒【jiǔ】精【jīng】滴到【dào】膜上面，如【rú】果如左图所【suǒ】示，酒精下膜颜色变化不大的【de】话说明膜的【de】致密性还正常;如【rú】果膜有异常【cháng】的话，颜色【sè】会变化很【hěn】大，比如右图都已经变为【wéi】硅本色了【le】;
16.单片色差、单片发红或单片偏淡
原因：沉积时间、绒面差异导致;
解【jiě】决：如果整框【kuàng】发红或偏淡，那么多数是沉积时间过【guò】短或过【guò】长所致;但【dàn】如【rú】果是随【suí】机【jī】的某一位置发红【hóng】、偏淡或单片色差，则主要【yào】是片与【yǔ】片【piàn】之间或单片的绒面差【chà】异导致【zhì】，且在【zài】镀膜前，仔细【xì】观察就可以看出绒面的差异;
17.卡框
原因：(1).碎片挡住传感器;
(2).传【chuán】输系统在【zài】手【shǒu】动模式【shì】下，各个【gè】马达就不会按【àn】自动程序运行了;
(3).出料腔的气压达不到要求;
(4).其它特殊异常情况【kuàng】，比如：冷却【què】水停、加【jiā】热器报警、微【wēi】波报【bào】警等;
(5).腔体之间的传感器匹配出现问题，
解决：(1).如果碎片挡住传感器，传感器会【huì】处于常【cháng】亮状态，这【zhè】就【jiù】需要设【shè】备人员【yuán】来
解决;
(2).出现卡【kǎ】框情况，自己先检【jiǎn】查一下传输系统是否在手【shǒu】动模式下，如果是则【zé】将其【qí】切换为【wéi】自动模式;
(3).可能是【shì】出料【liào】腔【qiāng】的密封性不佳【jiā】，让设备人员检查出【chū】口出是否有碎片，有【yǒu】的话将【jiāng】其清理;
(4).这些特殊异常情况就需要联系设备、设施人员共同解决;
(5). 传感【gǎn】器【qì】的匹配问题【tí】属于软件【jiàn】问题，软件升【shēng】级后就没有出现这个问题【tí】;
18.折射率低
原因：(1).NH3和SiH4流量比不恰当;
(2).工艺腔的压强过低;
(3).工艺腔的压强过高;
解决：(1).出现流量比【bǐ】不恰当的可能较小，如果【guǒ】是这一部分出【chū】现问题的【de】话，估计是特气的流量【liàng】计或【huò】者【zhě】特气的压【yā】力流【liú】量出现问题;
(2).如【rú】果【guǒ】工艺腔的压强【qiáng】低于0.2mbar后，压强【qiáng】对折射率的影响将会【huì】非常明显;
(3).这里说的工艺腔压强过高，主要是指工艺腔的情况;
19.如下图所示：
镀膜前 镀膜后
原因：硅片表面未吹干，有残留水液;
解决：调整风刀;
20.一种色斑，如下图所示：
原因：手指印;
解【jiě】决：目前主【zhǔ】要认为是清洗的【de】上【shàng】下【xià】料和刻蚀的上下【xià】料，上面的两【liǎng】张图【tú】片就是清洗【xǐ】下料手摸导致的，解决方法员工技能和员【yuán】工【gōng】意识;
特殊气体的特性介绍
氨气 (NH3)
1、特性:
无【wú】色有刺激性恶臭的【de】气【qì】体【tǐ】。易溶于水、乙醇、乙醚。主要【yào】用作制冷剂及制取氨盐【yán】和氮肥。
2、危险性
易燃，燃烧产物为氧化氮、氨。与空气混合能形成爆【bào】炸性混合物，若遇【yù】明火【huǒ】或高热【rè】能【néng】引【yǐn】起燃烧爆【bào】炸。与氟、氯等能发生剧烈的化学【xué】反【fǎn】应。若遇高热，容【róng】器【qì】内压增大，有【yǒu】开【kāi】列和爆【bào】炸【zhà】的危险。
低浓度氨对粘膜有刺激作用，高【gāo】浓度可造成组织【zhī】溶解性坏【huài】死，引起化学性肺炎【yán】及灼伤。急【jí】性中毒，轻者表现【xiàn】为皮肤、粘膜刺激反应，出现【xiàn】鼻炎、咽【yān】炎【yán】、器官【guān】及支气管炎，可有【yǒu】角膜【mó】及皮肤灼【zhuó】伤。重度者出现喉头水【shuǐ】肿，声音狭窄，呼吸道粘膜细胞脱【tuō】落，器官阻塞【sāi】而窒息，可有中毒【dú】性肺水肿和肝损【sǔn】伤。氨可引起发射【shè】性【xìng】呼吸停止。如氨溅入【rù】眼内，可致晶体浑浊，角【jiǎo】膜穿孔【kǒng】，甚至失明【míng】。
3、灭火方法
切断【duàn】气源。若不能立即切断气源，则不允许熄灭正在燃烧的气【qì】体【tǐ】，喷【pēn】水【shuǐ】冷却容【róng】器，可能的话将容器从火【huǒ】场移至空旷处。
4、储运注意事项
易【yì】燃、腐蚀性压缩气【qì】体。禁忌【jì】卤素、酰基氯，酸类、氯【lǜ】仿，强氧化剂。储存于阴凉【liáng】、干燥、通风处【chù】。远离火【huǒ】种、热源。防止阳光直【zhí】射。应【yīng】与卤素、酸类等分开存放。罐储【chǔ】时要有防【fáng】火【huǒ】防暴技术措【cuò】施。配备相应品【pǐn】种和【hé】数量的【de】消防器【qì】材。禁止使用易产生【shēng】火花【huā】的机械【xiè】设备和工具。验收时要注意品名。注意【yì】验瓶日期，先进仓的先发【fā】用。槽车运送时要罐装适量，不可超压【yā】超【chāo】量运输。搬【bān】运时轻装轻卸【xiè】，防止钢【gāng】瓶及部件破【pò】坏。运输按规定路线行驶【shǐ】，中途不得停驶。
5、急救措施
皮肤接【jiē】触:立【lì】即脱去【qù】污染的衣着,用大量【liàng】流动的清【qīng】水【shuǐ】彻底清洗。或用3%硼【péng】酸溶【róng】液冲洗【xǐ】。若有灼伤，就医治疗。
眼睛接【jiē】触：立即提起眼帘，用流【liú】动【dòng】清水或【huò】生理盐水冲洗至少15分钟【zhōng】。立即【jí】就医。
吸入：迅速【sù】脱离现场至空气新鲜处。保持呼吸道【dào】通【tōng】畅。呼【hū】吸【xī】困难时给输氧。呼吸停【tíng】止时，立即进行人【rén】工【gōng】呼吸。就医。
空【kōng】气中浓度超标【biāo】时，必须佩戴【dài】防【fáng】毒口罩【zhào】，戴化学安全防护眼睛【jīng】，穿工作服，必要时戴防护【hù】手套，紧急事态抢救或【huò】逃生时建议佩带自给式呼吸器【qì】，工作【zuò】现场禁止【zhǐ】吸【xī】烟，进食和引水【shuǐ】，工作后淋浴更衣。保持【chí】良好的工【gōng】作【zuò】习惯。
甲硅烷(SIH4)
1、特性
无色气体，有恶臭。易溶于苯，四氯化碳。
2、危险性
遇明火【huǒ】、高热极【jí】易燃【rán】烧，暴露在空气能自燃【rán】。与氟、氯等【děng】能发【fā】生剧烈的化学反应。吸入甲烷蒸气【qì】后，引起【qǐ】头【tóu】痛、头晕、发热、恶心、多汗【hàn】，严重者面色苍【cāng】白，脉【mò】搏微弱，陷入半昏迷状态。
3、灭火方法
切断气源，若立即不能切断气源，则不允许熄【xī】灭【miè】正在燃烧的气【qì】体【tǐ】，喷【pēn】水【shuǐ】冷却容器，可【kě】能【néng】的话将容器从火场【chǎng】移至【zhì】空旷处。灭火剂用二氧化碳。禁止用卤代烷灭火剂。
4、操作处置与存储
穿戴一般【bān】防【fáng】护用品。确保【bǎo】钢瓶、设备及管路严密不泄漏。工作间为甲【jiǎ】类防火【huǒ】防暴单【dān】元，电气设施为防【fáng】暴型，严禁火种入内，禁用易产生火花【huā】的机【jī】械及【jí】工具、通风良好、保持【chí】干【gàn】燥。遵守气瓶【píng】安全检查规程有【yǒu】关规【guī】定。存储于阴凉【liáng】通风【fēng】仓【cāng】间内，远离火种【zhǒng】、热源，钢瓶【píng】温度不【bú】大于52℃，防止【zhǐ】阳光直射，保持容器【qì】密封，应与氧化剂分开存放。存储间内【nèi】的照明【míng】/通风等设施应【yīng】采用防暴型，开关设在仓外【wài】。配备相应品种和数量的消防器材。禁止【zhǐ】使用易【yì】产生【shēng】火花的【de】机械【xiè】设【shè】备和工具。禁止撞击和震荡。搬运时轻装轻【qīng】卸，防止钢瓶及【jí】部件破坏。
5、泄露应急处理
迅速【sù】撤离【lí】泄露【lù】污染【rǎn】区，人员【yuán】至上风处，并隔离至气【qì】体散去，切断火【huǒ】源。建【jiàn】议应急处理【lǐ】人【rén】员戴自给正压式呼吸器【qì】，穿一般消防护符，切断气源，喷洒【sǎ】雾状水稀释、抽排【pái】(室内)或强力通风(室【shì】外)。如【rú】有可能，将残余气【qì】或漏出气用排风机送至【zhì】水洗塔或与塔【tǎ】相连的通风橱内，漏气【qì】容器不能【néng】再用，且【qiě】要经过【guò】技术处理，以除去可【kě】能剩下的气体。
工程控制：生产过程密闭。全面通风。
吸入【rù】:脱离现场至空气新鲜处。保【bǎo】持呼吸【xī】道通畅。必【bì】要时进行【háng】人工呼【hū】吸。就医。
呼吸系统防护：空气中浓【nóng】度超标时，应【yīng】佩带防毒口罩。必【bì】要【yào】时【shí】佩带自给式呼吸【xī】器。
眼睛防护：一般不需特殊防护。高浓度接触时可戴安全防护眼镜。
手防护：一般不需特殊。
其【qí】它： 工作现场禁止吸烟。进入罐或其【qí】它高浓度区【qū】作【zuò】业，必须有人监【jiān】护。
