太阳能光伏N型和P型单晶硅片的主要区别
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太阳能光伏N型和P型单晶硅片的主要区别

单晶硅片具有准金属【shǔ】的物理性质,有较【jiào】弱的导电性【xìng】,其电【diàn】导率随温度的升【shēng】高【gāo】而增加【jiā】;有显着的【de】半导【dǎo】电性。在超纯单晶硅片中掺入【rù】微【wēi】量的硼可提高其导电的程度,而形成P型硅【guī】片半导体;如掺入微【wēi】量的磷或砷也可【kě】提高导电程度,形成【chéng】N型硅片【piàn】半导【dǎo】体【tǐ】。那【nà】么,P型硅片和N型硅片【piàn】有【yǒu】哪些区【qū】别?P

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一文看懂单、多晶电池光衰原理
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一文看懂单、多晶电池光衰原理

1.晶【jīng】硅组件的光衰硼(B)掺杂的【de】P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰【shuāi】现【xiàn】象早在1973年已发现,该光衰之后被发现【xiàn】可一【yī】定程度【dù】恢复的。JanSchmidt发现了【le】该光衰主【zhǔ】要【yào】是B-O对引起的【de】并给出了【le】该缺陷的结构(2003)。AxelHerguth提出了再

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