近【jìn】期，晶体硅生长【zhǎng】技术论坛在杭州召开。此次论坛由亚化【huà】咨询主办，云集了协鑫【xīn】、阿特斯【sī】、荣德等主流长晶企业【yè】技术专家，精【jīng】功【gōng】科技、晶盛机电、GTAT等设备制造商负责人，以及浙江【jiāng】大【dà】学、江【jiāng】苏大学教授等权威专【zhuān】家【jiā】。保利协鑫长晶【jīng】事业部总【zǒng】裁游达博士参会并【bìng】作《GCL铸【zhù】锭单晶技术进【jìn】展》报告。游达博士认为，铸【zhù】锭【dìng】单晶拥有更低【dī】氧含量、更低衰减【jiǎn】、无【wú】缺角，性价【jià】比优势非【fēi】常明【míng】显。
游达博【bó】士认为，多晶铸锭硅片产品【pǐn】技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品【pǐn】转换效率高【gāo】、位错密度低、可以采用碱制绒【róng】工艺【yì】，采【cǎi】用铸锭方法生产【chǎn】的单晶【jīng】硅片兼具二者【zhě】技【jì】术优势。部【bù】分下游客户使【shǐ】用反【fǎn】馈，叠加PERC技术后，铸锭【dìng】单晶与Cz单【dān】晶效率差最少仅为0.18%，而成【chéng】本【běn】大幅降低。而且，数据显示【shì】，铸【zhù】锭【dìng】单晶光【guāng】衰比Cz单【dān】晶产品低0.5%以上，长【zhǎng】期发电量更高。
游达博士表示，铸锭单【dān】晶硅片还可以更好的兼容下游终【zhōng】端产品，由于不存在缺角，其硅片面积100%可利用，比【bǐ】Cz单【dān】晶面积【jī】大【dà】2%。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦【wǎ】。在同功率输【shū】出的条【tiáo】件【jiàn】下，铸锭单【dān】晶组件价【jià】格【gé】比Cz单晶低0.06元/瓦，度电成本低0.006元/度【dù】。
游达博士介绍，保【bǎo】利协鑫【xīn】2011年即【jí】开始研究铸锭单晶技【jì】术，已【yǐ】经发布第三代产品。目前，保利协鑫【xīn】铸【zhù】锭热场工艺、锭检设备、产品品【pǐn】质【zhì】全【quán】面升级，对称性热【rè】场【chǎng】，分段式加热【rè】控【kòng】制有效降低位错，实现高品质整锭【dìng】单晶。继金【jīn】刚【gāng】线切【qiē】黑硅片之后，铸锭单晶硅片【piàn】将成为对市场有重大影响的差【chà】异【yì】化产品。
