第三届N型晶【jīng】硅电【diàn】池与【yǔ】钝化【huà】接【jiē】触技术论坛【tán】将于2018年12月9-21日【rì】在【zài】江【jiāng】苏常州【zhōu】召开。来自新南威【wēi】尔士大学(UNSW)的专家将参会并作【zuò】重要报告，介绍N型硅【guī】的效率提升及光衰研究。
UNSW研【yán】究表明，通【tōng】过选【xuǎn】择性杂质工程处理，可以【yǐ】将低质量n-型硅片的开路电【diàn】压从650 mV提高到730 mV。UNSW将【jiāng】在【zài】报告中介绍吸杂和【hé】氢钝【dùn】化的影响效果以及创造【zào】低质量低成【chéng】本硅太阳能电池的潜能。
在【zài】已完成的n-型硅异质结电池生产中，UNSW通过提升【shēng】载流子运输和【hé】表面钝化来【lái】进一步提【tí】升异质结【jié】电【diàn】池效率。UNSW研究【jiū】表明，他们将异质结电池效率绝【jué】对值提【tí】升了高达【dá】0.7%，这一【yī】提高【gāo】采【cǎi】用了其【qí】正【zhèng】在审批的关于SHJ结构的新专利中的流程。此外，该技【jì】术还可【kě】以【yǐ】将n-PERT太阳能电池的效【xiào】率绝对值【zhí】提【tí】升0.3%-0.5%。
n-型硅太【tài】阳能电池由于不受光【guāng】衰【shuāi】影响而广【guǎng】受【shòu】赞誉。然而，UNSW在近期对【duì】晶硅材料【liào】的热辅助光衰(LeTID)研究中，发现这些杂质也许也会在n-型硅中出【chū】现。通过【guò】控制烧结条件和扩散发【fā】射【shè】极【jí】层，UNSW找到了在n-型硅中诱导和调【diào】整光热衰变缺陷【xiàn】的方法。基于这些【xiē】方法【fǎ】，他们将在【zài】报告中讨论这些发【fā】现对于n-型和p-型晶体【tǐ】硅的技术发展意义。
