9-21，中国科学【xué】院公布了2017年【nián】新增【zēng】院【yuàn】士名单。中国可【kě】再生能【néng】源【yuán】学会【huì】光伏专委会副主任【rèn】杨德仁当选中国科学院院士。
杨德仁，男，汉族，1964年4月出生，江苏扬州人【rén】，1983年【nián】11月【yuè】加入中国共产党【dǎng】，1991年【nián】6月参加【jiā】工【gōng】作，浙【zhè】江【jiāng】大学半导体材料专业【yè】毕【bì】业，研究【jiū】生学历，博士【shì】。现为中国可再生能源【yuán】学会光伏【fú】专委会【huì】副主任，浙江大【dà】学材料科学与工程学院教授【shòu】，浙江大学硅材料国家重点实验室主任【rèn】，博士生导师。2017年当【dāng】选为中国科学院【yuàn】院【yuàn】士。
1981年9月至1991年6月为浙江大学材料科学与工程【chéng】学【xué】院（系）本科、硕士和博【bó】士研【yán】究生。1993年浙江大学【xué】材料【liào】科【kē】学【xué】与【yǔ】工程博士后流动站【zhàn】出站，晋升副【fù】教授，其间在日本【běn】东北【běi】大学【xué】金【jīn】属材料研【yán】究所访问研【yán】究。1995年初赴德国FREIBERG工业大学【xué】工作【zuò】，1997年5月【yuè】被浙江大学特【tè】批【pī】晋升教授，1998年初回国在浙江大学工作。
2000年受聘教育部长江【jiāng】学者奖励计划【huá】特聘教授【shòu】，2002年获国【guó】家【jiā】杰出青年科学基【jī】金【jīn】，2011年获评浙江省特级【jí】专家【jiā】，2007年和2013年担【dān】任【rèn】两期【qī】“硅基光电子发光【guāng】材料与器【qì】件【jiàn】”领域的973项【xiàng】目首席科学家【jiā】，2017年【nián】获国家自然科学基金委创新研究群体项目【mù】。2008年至今兼任国家重大科技专【zhuān】项（02）专【zhuān】家组成员。
1998年起，先后任硅材料【liào】国【guó】家重点实验室副主【zhǔ】任、主任；2003年起，先【xiān】后兼【jiān】任【rèn】半导体材料【liào】研【yán】究所副所长【zhǎng】、所长。
作为第一【yī】完成【chéng】人，曾获国家自然【rán】科学【xué】奖【jiǎng】二等奖2项、省部级科技一等【děng】奖4项。获全国五一劳动奖【jiǎng】章，中国青【qīng】年科技奖，全国优秀科技【jì】工作者【zhě】，浙江省“十大时代【dài】先锋【fēng】”等【děng】荣誉。
研究领域：长期从事超大规模集成电路【lù】用【yòng】硅单【dān】晶材【cái】料、太阳能光【guāng】伏【fú】硅材料【liào】、硅基光电子材料【liào】及器件、纳米硅【guī】及纳【nà】米【mǐ】半导体材料等研究工作。
学术贡献：主要从事半导体【tǐ】硅材料研究，取得了【le】系列创新【xīn】成果【guǒ】。提出了掺氮控【kòng】制【zhì】极【jí】大规模集成【chéng】电路用直拉硅【guī】单晶微缺陷【xiàn】的思路，系统解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了【le】其在国【guó】际上的广泛应用；提出了微量【liàng】掺锗控制晶格畸变的【de】思路，发明了微【wēi】量【liàng】掺锗硅晶体生【shēng】长系列技【jì】术【shù】，系【xì】统解决了相【xiàng】关硅晶【jīng】体的基础科学问题，实【shí】现了实际【jì】应用【yòng】；研究了【le】纳米硅等【děng】的制备、结构和性能，成功制【zhì】备出纳米硅【guī】管等新型【xíng】纳米半导【dǎo】体材料，为其器【qì】件研究和应【yīng】用提供了材料基【jī】础。发表SCI论文680余篇，参【cān】编英文【wén】著作5部【bù】，授权国家发明专利130余项。
“中国科学院院士”简介
根据《中国科学院院士章程》的规定，在科学技术领域做出系统的、创造性的成就和重大贡献，热爱祖国，学风正派，具有中【zhōng】国国籍的研究员、教授或同【tóng】等【děng】职称的学者、专家，可被【bèi】推【tuī】荐并当选【xuǎn】为中【zhōng】国科学院院士【shì】。
院士增选和外籍院士选举每两年一次。至2015年12月底，共有1306名来自【zì】全国各部门【mén】、各地区（含香港特别行政区）的学者、专家当选为中国科学院院士【shì】（学部【bù】委员）。自1994年开始外籍【jí】院【yuàn】士【shì】选举以【yǐ】来，共选举外籍【jí】院士100名。
