张淳博士主要观点认为：
·多【duō】晶黑硅PERC目前【qián】量产平【píng】均效率达到21%，对【duì】应60片组件功率300W+。
·鑫单晶【jīng】（铸锭单晶）PERC目前量【liàng】产【chǎn】平均效率达到21.8%，对应72片组【zǔ】件功率370W+。
·湿法黑硅在组件CTM方面有优势。
·2019年多晶黑【hēi】硅PERC量产平【píng】均【jun1】效率21.5%，鑫单晶PERC量产平均【jun1】效率可达到22.2%。
·多晶PERC的LeTID控制【zhì】已有产业化技术，鑫单晶需进一【yī】步优化。
以下为现场速记内容：
我代表协鑫集成报告一下高效多晶和铸造单晶方面的进展。
非常赞同沈辉老师的观点，在【zài】晶体硅【guī】电池的【de】先进性和【hé】原创性上面，中国【guó】的【de】企业和研发机【jī】构，原创性这块【kuài】确实是我们的短板。但是在企【qǐ】业这块【kuài】，我们争【zhēng】取【qǔ】把量产的高效技术【shù】做到极致。第二个方面可能【néng】铸造单晶这样一个概念是小【xiǎo】小的例外，虽然不【bú】是【shì】100%中国人原创，但是中国人【rén】在【zài】这块的技术，原创性的贡【gòng】献还【hái】是【shì】比【bǐ】较大【dà】的【de】。
我的汇报主【zhǔ】要是分三【sān】方面【miàn】：第一个方面我想简单汇报和交流一下协【xié】鑫集【jí】成在多晶高效电池这【zhè】块【kuài】，也就是【shì】黑硅叠【dié】加PERC这块，在过去2—3年所取【qǔ】得的一些【xiē】进展。
首先【xiān】我们可以看【kàn】到【dào】是黑硅技术俗称的干法也好、湿法也好，目【mù】前协鑫集成的效率就是【shì】基于这样一个工【gōng】艺的【de】改【gǎi】善优化，平均量产效率【lǜ】做到【dào】21%这样一个【gè】水平。而我【wǒ】想强调一下，这个效率水平全部【bù】都是在产线的量产【chǎn】设备一起配合做出来的，这既【jì】不是实【shí】验室的小规模，也【yě】不是实验室的中试线，完全是量产的设备和工【gōng】艺【yì】来【lái】完成【chéng】的【de】。
大家可以【yǐ】看【kàn】到量产平均效率21%多一点，同时【shí】结合【hé】抗光衰【shuāi】工艺目前还【hái】有一个小小的缺陷，效率上大【dà】概是0.2%左【zuǒ】右【yòu】的损失，但【dàn】是总体【tǐ】上【shàng】平均量产效率达到21%。然后我【wǒ】们可以看到单片最高效【xiào】率21.62%，也不是实验室工艺，而是【shì】完全量产的这样一个测试结【jié】果。同时可【kě】以【yǐ】看到21%左右【yòu】的这样一个效率【lǜ】分【fèn】布，也是占【zhàn】60%、70%的比例。
那【nà】么我【wǒ】们【men】可以同时【shí】看到在组【zǔ】件端，我们可以比较这样，结合常【cháng】规组件，一个是白色EVA，一个是透【tòu】明【míng】EVA，20.9%档位的效率也能【néng】做到360瓦的【de】水平，也就是说【shuō】多晶高【gāo】效电池我们也能做到组【zǔ】件300瓦平均的水平。
同时目【mù】前的湿法黑【hēi】硅也是主流，所以我们前面提到的提效的技术，无论是在【zài】干法和湿法上【shàng】都【dōu】能完【wán】全一个通用的结果，在湿法上主【zhǔ】要是对比了一下电阻【zǔ】率【lǜ】的优化，同时王栩生博士【shì】也【yě】谈【tán】到后续【xù】多晶结合SE的【de】技术，通过【guò】这样一个技术【shù】在多【duō】晶【jīng】上也得到【dào】效率增【zēng】益的体现。
可以看到【dào】湿法多晶的效率是完全【quán】没有叠【dié】加【jiā】产线提效【xiào】技术，所以【yǐ】根据【jù】量【liàng】产设备实际情况，湿法黑硅【guī】做到20.6%和20.4%。如果叠加像干法提效技术【shù】的话，一般湿法【fǎ】的效率比干【gàn】法低0.2%左右，所以我们湿法黑【hēi】法结【jié】合【hé】PERC也能做【zuò】到20.8%的量产效果。
同样在组件规律上，刚才王栩生博士提到湿法【fǎ】黑【hēi】硅【guī】在组件的CTM方面【miàn】相对【duì】于干法是【shì】有优【yōu】势，虽然是20.6%的效率，同样300瓦【wǎ】的【de】组件也可以做到【dào】50%以上的比例【lì】。
同样我们可以看到实际上在大【dà】规模量产组件的情况下，在20.4%左右不到的这【zhè】样一个大【dà】规【guī】模量产效率的条件下，我们组件【jiàn】的290瓦以上比【bǐ】例，也达到【dào】80%几，这样随着电【diàn】池【chí】的效率逐渐地提升，多晶黑硅PERC的平【píng】均档【dàng】位【wèi】到300瓦【wǎ】是完全【quán】可【kě】以实【shí】现的【de】。
第二个部分想交流一下关于鑫单晶目前【qián】的进展，目前生产【chǎn】了一千多万片【piàn】，协鑫集成大概【gài】是生【shēng】产了500万片电池。实际上鑫单晶的【de】提【tí】效也【yě】是主要分【fèn】两【liǎng】个阶段，第一个阶段【duàn】是可以看【kàn】到在量产的实际效果【guǒ】，也就是起点不是很高【gāo】。我们可以看到量产【chǎn】的平均效【xiào】率21.2%左右，我们发【fā】现了几个主要的问题，我们先【xiān】不说成本，主要【yào】是【shì】一【yī】些拖尾，就【jiù】是左下角灰色的部分【fèn】，同【tóng】时【shí】谈到EL，还有它的【de】光衰和三【sān】类片的分布【bù】。
还有就是在产线，我们选用不同【tóng】的硅片，在小规【guī】模的试制，可以【yǐ】看到结【jié】合SE也好，可以做到21.7%、21.9%，证明【míng】鑫【xīn】单晶可以做到这个效【xiào】率。关于成【chéng】本这块，这【zhè】是目前我们这【zhè】块的【de】鑫单晶PERC每瓦的成本【běn】可能比湿法【fǎ】黑【hēi】硅、干法黑【hēi】硅，每瓦【wǎ】全成本贵【guì】几分钱左右，但是这样一个成本的降【jiàng】低空间还是巨大的。
这【zhè】里【lǐ】的问题我们怎样解决，刚才王【wáng】博士说【shuō】我们的三类片【piàn】一般是通过湿法黑硅完美解决。主要【yào】大批量的A类片是通过碱制绒这【zhè】块【kuài】，我们与王博士【shì】也有共同【tóng】的观点。
同时【shí】EL，如果我们这样一个平均效率达【dá】到一个比较理想的水平【píng】，那么我们可以发现这样由低【dī】效率造【zào】成的电池【chí】EL的【de】现象【xiàng】，基本上可【kě】以消【xiāo】除，前【qián】期我们可以看到20.9%、21.1%在【zài】EL端现象是比较严重【chóng】的。
通过【guò】第一阶【jiē】段150万片【piàn】硅片的电池生产以及主【zhǔ】要问题的发现，第【dì】二【èr】阶段又投【tóu】入【rù】了大概300多万片电池的生【shēng】产【chǎn】。通【tōng】过这样一个电池、硅片的改善以及【jí】电池工艺的完【wán】善【shàn】，那么第二【èr】批300多万片的【de】电池平均【jun1】效率达【dá】到了21.66%，接近【jìn】21.7%的水平，当然这里有一个小圆圈是返工【gōng】片的生产，可以【yǐ】忽略不计。
在【zài】300多万【wàn】片的提质过【guò】程中，结合硅【guī】片的风险的改善【shàn】，我们的效率提【tí】升又达到了新【xīn】的高度，就是游达博士提到【dào】的，平均效率到了【le】21.8%左右的平均效率【lǜ】。
随着自动【dòng】化生产【chǎn】的【de】加强，尾部低效的【de】分布就大量地减少，大【dà】量高效【xiào】的分布21.8%、21.9%这样一个比例超过了50%，结合【hé】22%以【yǐ】上的【de】，大概基本上是70%以上的比例。那么【me】鑫【xīn】单晶【jīng】如【rú】果要跟直拉单晶PK或者是【shì】同台竞争，目【mù】前21.8%的效率是【shì】远不够的。
那么【me】我们就说除了这样一个效率方面的改【gǎi】善，我们良率，500万片的【de】生产大【dà】家可以看到【dào】，良率【lǜ】目前【qián】是可以达到95%的这样一【yī】个【gè】水平，当然【rán】这【zhè】个良率还【hái】有比较大的【de】提升空间，到96%、97%都是必须的【de】。
然后【hòu】我们再【zài】看【kàn】看这【zhè】个【gè】组件，鑫单晶组件的这块，我们先【xiān】选取了三个档位的组件，21.5%、21.6%、21.7%，主档【dàng】位【wèi】三个，我【wǒ】们看看【kàn】它的档位分布的话，基本上主档位【wèi】370瓦，365瓦也【yě】算一个【gè】小的档位。随【suí】着后续效率的提升，我【wǒ】们【men】刚才说平均效率来到【dào】了21.8%，那么21.8%的平均效率，目前的【de】组件CTM是不到96%，是偏【piān】低的，后【hòu】续也有大的提升【shēng】空间，现在的条件来估算，以全档位来分布的【de】话，基本上370瓦【wǎ】和375瓦的【de】比【bǐ】例会基【jī】本上占到70%左右。
效率根据研【yán】发的成果和【hé】单晶【jīng】PERC的【de】实际【jì】发展【zhǎn】情【qíng】况，提出2019年底鑫【xīn】单晶到【dào】22.2%这样一个平【píng】均量产【chǎn】效率，从目前的21.8到【dào】21.9%，然后再有零点几的提升，这【zhè】第【dì】一步我们目前已经实现的，因为这是最新的提效结果。
目【mù】前鑫单【dān】晶【jīng】电【diàn】池平均效率【lǜ】达到了21.95%，已经是接近22%的量产平均效率。所以说，到2019年底鑫单晶的【de】平均量产效率超过22%，或者是跟直拉单晶的平【píng】均量【liàng】产效【xiào】率【lǜ】差【chà】保【bǎo】持在0.2%和0.3%是很【hěn】有希望达到的。
除了【le】这样一些效【xiào】率和功率【lǜ】的这样【yàng】一【yī】些进【jìn】展以外，这时候【hòu】无论【lùn】是单晶、鑫单晶还是多晶，它的光衰，是我们都不能【néng】忽【hū】略【luè】的一个问题。我们自己在控制光衰这块【kuài】目前取【qǔ】得的【de】一【yī】些进展。
大家可以【yǐ】看到就是说三根曲线的对比，就【jiù】是说红线、黑线是用了所谓的抗光衰工艺，而绿【lǜ】色是【shì】没有应用抗光衰工艺【yì】的结果，光衰条件是在75度，大约1000小时，这下【xià】面【miàn】的横坐标【biāo】是1200小时这样的一个【gè】结果。实际温【wēn】度【dù】是超过了【le】80度【dù】。所以【yǐ】说无【wú】论【lùn】是【shì】掺B和【hé】掺Ga的，基本上【shàng】是控制在2%以内，没有用【yòng】抗光衰工【gōng】艺的衰减幅度大，目前鑫【xīn】单晶PERC是【shì】沿用多晶抗【kàng】光【guāng】衰工艺，当然多晶【jīng】抗光衰工【gōng】艺是否符合这样一个产品特性【xìng】，后续我们会做优化。相信多晶【jīng】优化的【de】结【jié】果在鑫单晶上【shàng】更【gèng】优化，效果【guǒ】比多晶更好。
这是我们在Fraunhofer上【shàng】的组【zǔ】件，分【fèn】两步测了LID和【hé】LeTID。先把我们的组件做【zuò】了LID的【de】测试。
然后再把组件做了LeTID的测试。
这是Fraunhofer的测试条件，这个【gè】比较【jiào】严苛【kē】，LID用了85度，Le TID用了50度或60度的【de】。LID的组件效果是好的，基本【běn】上只有【yǒu】2%—4%的衰【shuāi】减。然后LeTID，85度我们的光衰依然是1.5%左右【yòu】的衰【shuāi】减。从光衰这块的结果，无论是自己测的【de】长时间的超过【guò】一千【qiān】小时的结【jié】果，还是Fraunhofer这样的检测结果，都是完全满足【zú】产品的【de】竞【jìng】争【zhēng】，同时跟单晶的PK中也毫不【bú】落下风。所以【yǐ】说这样的一个【gè】光【guāng】衰工艺利用【yòng】到鑫单晶的PERC电池上，相信也【yě】会有满意【yì】的【de】结果【guǒ】。
当【dāng】然，我们刚才【cái】前面也说了，目前【qián】的抗光【guāng】衰工艺也不否认【rèn】，应用在【zài】单晶和鑫【xīn】单晶上面【miàn】都【dōu】有少许的损【sǔn】失，应用到多晶上面，是0.2%少许的损失，用在鑫单晶【jīng】上【shàng】0.15%的效率【lǜ】损失。相信后面我们效率【lǜ】的提升和工【gōng】艺的改善，我们有【yǒu】信【xìn】心控【kòng】制在0.1%以【yǐ】内，无论是【shì】从电池的效【xiào】率还【hái】是这样一个【gè】稳定性上面，无【wú】论是【shì】高效多晶和【hé】鑫单晶，目前在协鑫集成都取得了一【yī】些比较好、比较稳定的【de】一【yī】些结果。
总结一下，多晶【jīng】黑硅PERC目【mù】前【qián】量【liàng】产平均效率【lǜ】达到21%，对应【yīng】60片组【zǔ】件【jiàn】功率超过300W+，鑫单晶PERC目【mù】前量【liàng】产平均【jun1】效率达到21.8%，对应72片组【zǔ】件功率【lǜ】370W+。2019年目标，多晶黑硅【guī】PERC量产平均效率目标是【shì】21.5%，鑫单晶PERC量产平均效率可达到【dào】22.2%。多晶PERC的LeTID控制已有产业化技术，鑫单晶需进一步优化。
谢谢大家！
